规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
晶体管类型 |
NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
800mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
120V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
1V @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
120 @ 100mA, 5V |
功率 - 最大 |
900mW |
频率转换 |
120MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 |
TO-92L |
包装材料
|
Tape & Box (TB) |
包装 |
3TO-92L |
类型 |
NPN |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
120 V |
集电极最大直流电流 |
0.8 A |
最小直流电流增益 |
120@100mA@5V |
最大工作频率 |
120(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
1@50mA@500mA V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
最大功率耗散 |
900 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Ammo Pack |
集电极最大直流电流 |
0.8 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
最低工作温度 |
-55 |
最大功率耗散 |
900 |
最大基地发射极电压 |
5 |
Maximum Transition Frequency |
120(Typ) |
封装 |
Ammo |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
120 |
供应商封装形式 |
TO-92L |
最大集电极发射极电压 |
120 |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
800mA |
晶体管类型 |
NPN |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
120MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
1V @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
100nA (ICBO) |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
120V |
供应商设备封装 |
TO-92L |
功率 - 最大 |
900mW |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
120 @ 100mA, 5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
KSC2316YTACT |
工厂包装数量 |
2000 |
晶体管极性 |
NPN |
发射极 - 基极电压VEBO |
5 V |
零件号别名 |
KSC2316YTA_NL |
安装风格 |
Through Hole |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 |
80 |
直流电流增益hFE最大值 |
240 |
单位重量 |
0.006526 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
120 V |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 |
1 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
0.8 A |
增益带宽产品fT |
120 MHz |
系列 |
KSC2316 |
集电极 - 基极电压VCBO |
120 V |
最低工作温度 |
- 55 C |
集电极电流(DC ) |
0.8 A |
集电极 - 基极电压 |
120 V |
集电极 - 发射极电压 |
120 V |
发射极 - 基极电压 |
5 V |
频率 |
120 MHz |
功率耗散 |
0.9 W |
工作温度范围 |
-55C to 150C |
包装类型 |
TO-92L |
元件数 |
1 |
直流电流增益 |
120 |
工作温度分类 |
Military |
弧度硬化 |
No |
频率 - 跃迁 |
120MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) |
1V @ 50mA, 500mA |
晶体管类型 |
NPN |
电流 - 集电极截止(最大值) |
100nA (ICBO) |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) |
120 @ 100mA, 5V |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
功率 - 最大值 |
900mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) |
800mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) |
120V |
宽度 |
3.9 mm |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
长度 |
4.9 mm |
身高 |
8 mm |
Pd - Power Dissipation |
0.9 W |